| HGTA32N60E2
硅 N-IGBT 晶体管 | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 50/200A | | Ptot | 208W | | TON/TOFF | 100/630nS | | TJ | 150°C | | 图像: | - | | 来源: | Harris Databook Power MOS...... [更多] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | | 更多信息 HGTA32N60E2 | | OEM: | Harris Semic... [更多] Harris Semiconductors | | 封装: | TO-218-5 | | 数据表 (jpg): | 有货 | | 数据表 (pdf): | - | | OEM 数据表: | - | 匹配型号:
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