IGBT 晶体管 HGTD6N50E1 数据表

HGTD6N50E1

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

500V

U_GE

±20V

I_C

7.5A

P_tot

60W

T_ON/T_OFF

90/24nS

T_J

150°C

the HGTD6N50E1 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 500V, Ic = 7.5A, applications: motor driver, power switch

图像:

来源:

Harris Databook Power MOS...... [更多]

Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991

更多信息 HGTD6N50E1
OEM:	Harris Semic... [更多] Harris Semiconductors
封装:	TO-251AA
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P_tot

60W

T_ON/T_OFF

90/24nS

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