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B669A


硅 PNP 达灵顿 晶体管
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
the B669A is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 90V, Ic = 4A, applications: power transistor
图像: -
来源: 2SB669A
更多信息 B669A
OEM:Matsushita D... [更多]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
封装: TO-220
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:-
相似型号: ↑BDW24C, [更多]
BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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B669A


硅 PNP 达灵顿 晶体管
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
the B669A is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 90V, Ic = 4A, applications: power transistor
图像: -
来源: 2SB669A
更多信息 B669A
OEM:Matsushita D... [更多]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
封装: TO-220
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数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
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相似型号: ↑BDW24C, [更多]
BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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B669A


硅 PNP 达灵顿 晶体管
GFX
UCE/UCB -90/-90V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
the B669A is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 90V, Ic = 4A, applications: power transistor
图像: -
来源: 2SB669A
更多信息 B669A
OEM:Matsushita D... [更多]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
封装: TO-220
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相似型号: ↑BDW24C, [更多]
BDW24C,BDW54C,BDW64C,2SB1339
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BDW24C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
the BDW24C is a silicon PNP darlington transistor preferred for use in power applications
图像: -
来源: SGS ATES Databook discret...... [更多]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
相似型号: BDW24C
OEM:Ates Compone... [更多]
Ates Component Electronics (SGS)
封装: TO-220
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数据表 (pdf):有货
OEM 数据表:-
匹配型号:BDW23C
相似型号: ↑see BDW24C
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BDW24C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
the BDW24C is a silicon PNP darlington transistor preferred for use in power applications
图像: -
来源: SGS ATES Databook discret...... [更多]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
相似型号: BDW24C
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Ates Component Electronics (SGS)
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相似型号: ↑see BDW24C
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BDW24C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
the BDW24C is a silicon PNP darlington transistor preferred for use in power applications
图像: -
来源: SGS ATES Databook discret...... [更多]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
相似型号: BDW24C
OEM:Ates Compone... [更多]
Ates Component Electronics (SGS)
封装: TO-220
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OEM 数据表:-
匹配型号:BDW23C
相似型号: ↑see BDW24C
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BDW54C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW54C
OEM:Texas Instru... [更多]
Texas Instruments
封装: TO-220
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OEM 数据表:-
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相似型号: ↑BDW24C, [更多]
BDW24C,BDW64C
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BDW54C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW54C
OEM:Texas Instru... [更多]
Texas Instruments
封装: TO-220
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BDW24C,BDW64C
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BDW54C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
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the BDW54C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 4A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW54C
OEM:Texas Instru... [更多]
Texas Instruments
封装: TO-220
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BDW24C,BDW64C
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BDW64C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
the BDW64C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 6A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW64C
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Texas Instruments
封装: TO-220
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BD650,BD902,BDW24C,BDX54C
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BDW64C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
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the BDW64C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 6A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
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来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW64C
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Texas Instruments
封装: TO-220
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BDW64C


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
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the BDW64C is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 100V, Ic = 6A, applications: audio frequency power transistor, integrated diode
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BDW64C
OEM:Texas Instru... [更多]
Texas Instruments
封装: TO-220
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相似型号: ↑BD650, [更多]
BD650,BD902,BDW24C,BDX54C
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

2SB1339


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
fT -
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the 2SB1339 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 120V, Ic = 6A, applications: integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: 2SB1339
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Rohm Corporation Ltd. Japan
封装: TO-220
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匹配型号:2SD1888
相似型号: ↑see 2SB1339
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2SB1339


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
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the 2SB1339 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 120V, Ic = 6A, applications: integrated diode
图像: -
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: 2SB1339
OEM:Rohm Corpora... [更多]
Rohm Corporation Ltd. Japan
封装: TO-220
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匹配型号:2SD1888
相似型号: ↑see 2SB1339
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2SB1339


硅 PNP 达灵顿 晶体管
相似 B669A 见注释
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE 2-20k
Ptot 40W
fT -
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the 2SB1339 is a silicon PNP darlington transistor, Uce = 120V, Ic = 6A, applications: integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: 2SB1339
OEM:Rohm Corpora... [更多]
Rohm Corporation Ltd. Japan
封装: TO-220
数据表 (jpg):-
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OEM 数据表:-
匹配型号:2SD1888
相似型号: ↑see 2SB1339
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