IGBT 晶体管 MGY40N60

MGY40N60

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

600V

U_GE

20V

I_C

66A

P_tot

260W

T_ON/T_OFF

221/710nS

T_J

the MGY40N60 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications

图像:

来源:

Jaeger electronic catalog...... [更多]

Jaeger electronic catalog 1999

更多信息 MGY40N60
OEM:	Motorola Sem... [更多] Motorola Semiconductor Products Inc.
封装:	TOP-3L
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匹配型号:	-
相似型号: ↑	GN6075E, [更多] GN6075E,GT80J101
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MGY40N60

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

600V

U_GE

20V

I_C

66A

P_tot

260W

T_ON/T_OFF

221/710nS

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U_CE

600V

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20V

I_C

66A

P_tot

260W

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221/710nS

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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GN6075E

硅 N-IGBT 晶体管
similar to MGY40N60, see note

GFX

U_CE

600V

U_GE

20V

I_C

75A

P_tot

250W

T_ON/T_OFF

1/1.2µS

T_J

the GN6075E is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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相似型号: GN6075E
OEM:	Hitachi Ltd.... [更多] Hitachi Ltd. Japan
封装:	TOP-3L
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600V

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20V

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75A

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U_GE

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GT80J101

硅 N-IGBT 晶体管
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GFX

U_CE

600V

U_GE

±20V

I_C DC/AC

80/160A

P_tot

200W

T_ON/T_OFF

500/700nS

T_J

150°C

the GT80J101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 600V, Ic = 80A, applications: power switch

图像:

来源:

Toshiba IGBT Databook 199...... [更多]

Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT80J101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-21F1C
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600V

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±20V

I_C DC/AC

80/160A

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200W

T_ON/T_OFF

500/700nS

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150°C

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Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT80J101
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U_CE

600V

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±20V

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80/160A

P_tot

200W

T_ON/T_OFF

500/700nS

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