GT60M104 硅 N-IGBT 晶体管 | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | 图像: | - | 来源: | Toshiba Databook Power MO...... [更多] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | 更多信息 GT60M104 | OEM: | Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | 封装: | 2-21F2C | 数据表 (jpg): | 有货 | 数据表 (pdf): | 有货 | OEM 数据表: | - | 匹配型号:
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