IGBT 晶体管 GN12030E

GN12030E

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

30A

P_tot

200W

f_T

T_J

the GN12030E is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

图像:

来源:

Jaeger electronic catalog...... [更多]

Jaeger electronic catalog 1999

更多信息 GN12030E
OEM:	Hitachi Ltd.... [更多] Hitachi Ltd. Japan
封装:	TOP-3L
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相似型号: ↑	GT40T101, [更多] GT40T101,MGY25N120
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GN12030E

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

30A

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200W

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the GN12030E is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

30A

P_tot

200W

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the GN12030E is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

GT40T101

硅 N-IGBT 晶体管
similar to GN12030E, see note

GFX

U_CE

1500V

U_GE

±25V

I_C DC/AC

40/80A

P_tot

200W

T_ON/T_OFF

700/500nS

T_J

150°C

the GT40T101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1500V, Ic = 40A, applications: power switch

图像:

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Toshiba IGBT Databook 199...... [更多]

Toshiba IGBT Databook 1995/96

相似型号: GT40T101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-21F2C
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GT40T101

硅 N-IGBT 晶体管
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GFX

U_CE

1500V

U_GE

±25V

I_C DC/AC

40/80A

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200W

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700/500nS

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150°C

the GT40T101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1500V, Ic = 40A, applications: power switch

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硅 N-IGBT 晶体管
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U_CE

1500V

U_GE

±25V

I_C DC/AC

40/80A

P_tot

200W

T_ON/T_OFF

700/500nS

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the GT40T101 is a silicon IGBT-N transistor, Uce = 1500V, Ic = 40A, applications: power switch

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相似型号: GT40T101
OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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MGY25N120

硅 N-IGBT 晶体管
similar to GN12030E, see note

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

38A

P_tot

212W

T_ON/T_OFF

215/506nS

T_J

the MGY25N120 is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications

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相似型号: MGY25N120
OEM:	Motorola Sem... [更多] Motorola Semiconductor Products Inc.
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相似型号: ↑	GN12050E
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MGY25N120

硅 N-IGBT 晶体管
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U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

38A

P_tot

212W

T_ON/T_OFF

215/506nS

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U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

38A

P_tot

212W

T_ON/T_OFF

215/506nS

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