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BUP602D


硅 N-IGBT 晶体管
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 36A
Ptot 150W
TON/TOFF 110/750nS
TJ -
the BUP602D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
图像: -
来源: Jaeger electronic catalog...... [更多]
Jaeger electronic catalog 1999
更多信息 BUP602D
OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
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相似型号: ↑BUP603D
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硅 N-IGBT 晶体管
GFX
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UGE 20V
IC 36A
Ptot 150W
TON/TOFF 110/750nS
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封装: TO-3P
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UGE 20V
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OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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相似型号: ↑BUP603D
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BUP603D


硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP602D, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 42A
Ptot 150W
TON/TOFF 130/750nS
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the BUP603D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode
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Jaeger electronic catalog 1999
相似型号: BUP603D
OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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OEM:Siemens AG
封装: TO-3P
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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）
印象派
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