IGBT 晶体管 BUP307D - 相似型号

BUP307D

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1200V

U_GE

±20V

I_C

35A

P_tot

310W

f_T

T_J

the BUP307D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose applications-integrated diode

图像:

来源:

Jaeger electronic catalog...... [更多]

Jaeger electronic catalog 1999

更多信息 BUP307D
OEM:	Siemens AG
封装:	TO-3P
数据表 (jpg):	-
数据表 (pdf):	-
OEM 数据表:	-
匹配型号:	-
相似型号: ↑	BUP314D
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BUP307D

硅 N-IGBT 晶体管

GFX

U_CE

1200V

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±20V

I_C

35A

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35A

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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）

BUP314D

硅 N-IGBT 晶体管
similar to BUP307D, see note

GFX

U_CE

1200V

U_GE

20V

I_C

42A

P_tot

310W

T_ON/T_OFF

140/465nS

T_J

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U_GE

20V

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42A

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42A

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T_ON/T_OFF

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注:相似型号并不一定是可替换型号，请在使用前仔细检查电路要求作为替换型号（无保证）