Lookbooks
R
X
G
页面:

VFE15-18


GaAs N-FET 晶体管
UDS 5V
IDS 0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 350mW
fT -
the VFE15-18 is a GaAs field effect transistor preferred for use in applications up to 12GHz
图像: -
来源: Datenbuch Mikroelektronik Gesa...... [更多]
Datenbuch Mikroelektronik Gesamtuebersicht
更多信息 VFE15-18
OEM:RFT electron... [更多]
RFT electronic, VEB Bauelemente
封装: TO-120
数据表 (jpg):有货
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索

VFE15-18


GaAs N-FET 晶体管
UDS 5V
IDS 0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 350mW
fT -
the VFE15-18 is a GaAs field effect transistor preferred for use in applications up to 12GHz
图像: -
来源: Datenbuch Mikroelektronik Gesa...... [更多]
Datenbuch Mikroelektronik Gesamtuebersicht
更多信息 VFE15-18
OEM:RFT electron... [更多]
RFT electronic, VEB Bauelemente
封装: TO-120
数据表 (jpg):有货
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索

VFE15-18


GaAs N-FET 晶体管
UDS 5V
IDS 0.1A
UGS -
RDS(ON) -
Ptot 350mW
fT -
the VFE15-18 is a GaAs field effect transistor preferred for use in applications up to 12GHz
图像: -
来源: Datenbuch Mikroelektronik Gesa...... [更多]
Datenbuch Mikroelektronik Gesamtuebersicht
更多信息 VFE15-18
OEM:RFT electron... [更多]
RFT electronic, VEB Bauelemente
封装: TO-120
数据表 (jpg):有货
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索