晶体管 MF1011B900Y 数据表

MF1011B900Y

硅 NPN 晶体管

GFX

U_CE/U_CB

65/65V

I_C

50A

h_FE

P_tot

1.75kW

f_T

1.09GHz

T_J

200°C

the MF1011B900Y is a silicon NPN microwave power transistor preferred for use as common base class C broadband pulsed power amplifier for IFF, TCAS and mode S applications in the 1030 to 1090 MHz... [更多]

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来源:

PSC Philips Data Handbook...... [更多]

PSC Philips Data Handbook SC15

更多信息 MF1011B900Y
OEM:	Philips Semi... [更多] Philips Semiconductors
封装:	SOT448A
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