GT8J101 硅 N-IGBT 晶体管 | | Uce: | 600V | | Uge: | 20V | Ic: DC/AC | 8/16A | N: | 30W | Ton/Toff: | 400/500nS | Tmax: | 150°C | 图像: | - | 来源: | Toshiba IGBT Databook 199...... [更多] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | 更多信息 GT8J101 | OEM: | Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | 封装: | 2-10R1C | 数据表 (jpg): | 有货 | 数据表 (pdf): | 有货 | 匹配型号:
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