IGBT 晶体管 GT5J311 数据表

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GT5J311

硅 N-IGBT 晶体管

U_CE

600V

U_GE

±20V

I_C DC/AC

5/10A

P_tot

45W

T_ON/T_OFF

400/500nS

T_J

150°C

the GT5J311 is a silicon IGBT transistor preferred for use in power applications

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来源:

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OEM:	Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
封装:	2-10S1C
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