| GT10J303
硅 N-IGBT 晶体管 | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 10/20A | | Ptot | 30W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | 图像: | - | | 来源: | datasheet | | | 更多信息 GT10J303 | | OEM: | Toshiba Toky... [更多] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | 封装: | 2-10R1C | | 数据表 (jpg): | - | | 数据表 (pdf): | - | | OEM 数据表: | - | 匹配型号:
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