Lookbooks
R
X
G
页面:

R2111


硅 PNP 晶体管
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
the R2111 is a silicon PNP transistor preferred for use in switching applications, bias resistor build in
图像: -
来源: KSR2111
更多信息 R2111
OEM:Samsung Elec... [更多]
Samsung Electronics CO. LTD.
封装: SOT-23
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索

R2111


硅 PNP 晶体管
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
the R2111 is a silicon PNP transistor preferred for use in switching applications, bias resistor build in
图像: -
来源: KSR2111
更多信息 R2111
OEM:Samsung Elec... [更多]
Samsung Electronics CO. LTD.
封装: SOT-23
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索

R2111


硅 PNP 晶体管
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 200mW
fT 200MHz
TJ 150°C
the R2111 is a silicon PNP transistor preferred for use in switching applications, bias resistor build in
图像: -
来源: KSR2111
更多信息 R2111
OEM:Samsung Elec... [更多]
Samsung Electronics CO. LTD.
封装: SOT-23
数据表 (jpg):-
数据表 (pdf):-
OEM 数据表:-
匹配型号:
-
相似型号:
-
相似型号搜索:-
零件搜索:搜索