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P12
硅 NPN 达灵顿 晶体管
GFX
U
CE
/U
CB
10/20V
I
C
-
h
FE
>20000
P
tot
625mW
f
T
-
T
J
150°C
the P12 is a silicon NPN darlington transistor preferred for use in general purpose applications
图像:
-
来源:
KSP12
更多信息 P12
OEM:
Samsung Elec...
[更多]
Samsung Electronics CO. LTD.
封装:
TO-92
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