二极管 1N5061 数据表

1N5061

硅二极管

GFX

U_R

600V

I_F

2.1A

t_rr

3µS

U_F / I_F

<1.15V/2.5A

T_J

175°C

the 1N5061 is a silicon diode, U = 600V, I = 2.1A, applications: controlled avalanche

图像:

来源:

Va Valvo Halbleiterdioden...... [更多]

Va Valvo Halbleiterdioden 1978

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OEM:	Valvo GmbH
封装:	SOD57
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600V

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150°C

the 1N5061 is a 2A rectifier

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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998

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OEM:	General Semi... [更多] General Semiconductor Industries, Inc. USA
封装:	DO-204AP
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marking code: 1N5061PH

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Philips Power Diodes 1999

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